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Siemens SIMATIC S7-400H CPU 414–5H Systemhandbuch Seite 192

Hochverfügbare systeme
Inhaltsverzeichnis

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Einsatz von Peripherie in S7–400H
13.4 Anschluss von redundanter Peripherie an der PROFIBUS DP-Schnittstelle
Bibliothek
Bibliothek
V5.x
V4.x
X
X
X
192
Bibliothek
Baugruppe
V3.x
X
AI 8x16Bit
Einsatz bei Spannungsmessung
Bei Betrieb der Baugruppen mit Messumformern darf die Diagnose
"Drahtbruch" in HW–Konfig nicht aktiviert werden.
Einsatz bei indirekter Strommessung
Achten Sie bei indirekter Strommessung auf eine zuverlässige Verbindung
zwischen den Fühlerwiderständen und den eigentlichen Eingängen, da bei
Drahtbruch einzelner Leitungen dieser Verbindung eine sichere
Drahtbrucherkennung nicht gewährleistet ist.
Die Abbildung des Stromes auf eine Spannung kann über einen Widerstand
von 250 Ohm (Messbereich 1 - 5 V) erfolgen, siehe Bild 10-9.
Einsatz bei direkter Strommessung
geeignete Z–Diode: BZX85C8v2
schaltungsbedingter zusätzlicher Fehler: bei Ausfall der einen Baugruppe
kann die andere plötzlich einen um ca. 0,1% vergrößerten Fehler aufweisen
Bürdenfähigkeit für 4–Draht–Messumformer: R
(ermittelt für den ungünstigsten Fall: 1 Eingang + 1 Z–Diode bei S7–
Übersteuerungswert 24 mA nach R
Eingangsspannung der Schaltung bei Betrieb mit 2–Draht–Messumformer:
U
< 15 V
e-2Dr
(ermittelt für den ungünstigsten Fall: 1 Eingang + 1 Z–Diode bei S7–
Übersteuerungswert 24 mA nach U
X
AI 8x16Bit
Einsatz bei Spannungsmessung
Weder bei Betrieb der Baugruppen mit Messumformern noch beim
Anschluss von Thermoelementen darf die Diagnose "Drahtbruch" in HW–
Konfig aktiviert werden.
Einsatz bei indirekter Strommessung
Die Abbildung des Stromes auf eine Spannung kann über einen Widerstand
von 250 Ohm (Messbereich 1 - 5 V) erfolgen, siehe Bild 10-9.
Einsatz bei direkter Strommessung
geeignete Z–Diode: BZX85C8v2
Bürdenfähigkeit für 4–Draht–Messumformer: R
(ermittelt für den ungünstigsten Fall: 1 Eingang + 1 Z–Diode bei S7–
Übersteuerungswert 24 mA nach R
Eingangsspannung der Schaltung bei Betrieb mit 2–Draht–Messumformer:
U
< 15 V (ermittelt für den ungünstigsten Fall: 1 Eingang + 1 Z–Diode bei
e-2Dr
S7–Übersteuerungswert 24 mA nach U
Bestellnummer
6ES7 331–7NF00–0AB0
> 610 Ohm
B
= (R
* I
+ U
) / I
B
E
max
z max
max)
= R
* I
+ U
)
e-2Dr
E
max
z max
6ES7 331–7NF10–0AB0
> 610 Ohm
B
= (R
* I
+ U
) / I
B
E
max
z max
max)
= R
* I
+ U
e-2Dr
E
max
z max
Systemhandbuch, 07/2014, A5E00267693-13
)
S7-400H

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