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ERBE ERBOTOM T 300 C Serviceanleitung Seite 73

Hochfrequenz-chirurgiegerät
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Schutz der Basis der BUX 80 vor positiven Spannungen
Platine EE 156.9
Generell gilt, daß beide interne Diodenstrecken eines Transistors nie
gleichzeitig leitend geschaltet sein dürfen, da sonst ein Kurzschluß
entsteht, welcher den Transistor zerstört.
Die Leistungstransistoren der Endstufe sind kurzschlußgefährdet, sobald
positive Spannungspitzen an ihre Basis gelangen. Die Dioden D13 bis D16
unterdrücken durch ihre negative Kathodenvorspannung von - 2,2 V
eventuell an der Transistorbasis auftretende positive Spannungsspitzen
und schützen so die Basis-Kollektor-Diodenstrecken vor Inversbetrieb.
Die zum Schutz der Leistungstransistoren benötigte negative Spannung von
-2
'
2 V
DC wird vom Netzteil auf Platine EE 156.7 erzeugt.
Endstufe
Platine EE 156.9
Ausgangskreis
Platine EE 156.7
Der Ausgangskreis des monopolaren Generators überträgt die von der End-
stufe abgegebene Hochfrequenzleistung auf den Patienten. Dabei erfüllt
er folgende Aufgaben:
a) Anpassung der Impedanz des Endverstärkers an den Lastwiderstand. Der
Lastwiderstand ist die Summe aller elektrischer Widerstände im An-
wendungsbereich, z B.:
• Widerstand zwischen aktiver Elektrode und Gewebe,
• Widerstand zwischen neutraler Elektrode und Gewebe,
• Widerstand der Strompfade durch den Patienten.
b
Isolation des Anwendungsbereiches (Patient). gegen die Betriebsspan-
nung des Generators.
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