Revox A50 Bedienungsanleitung Seite 33

FM
-Tuner
REVOX
476
Technische Daten
Empfangsbereich
Emptindlichkeit
(
60 O,
30 dB
S/R,
15
kHz Hub
)
Statische
Selektion
(
für
300 kHz Abstand
)
Wirksame
Selektion
(
für 2 Signale 100
pV
und
1
mV, 40 kHz
Hub.
300 kHz Abstand
)
Nebenwellenunterdrückung
Spiegelselektion
Bandbreite: ZF
- FilIer
ZF - Verst. und Demodulator
Übernahmeverhältnis
Störimpu lsunterdrückung
(
100
/rV
Nutz- und 1 mV
/
100 kHz
Störsignal,75 kHz Hub
)
Verzerrungen( 40 kHz Hub,
1
kHz
)
Fremdspannungsabstand
( unbewertet
)
(
75 kHz Hub
)
Stereo'
Übersprechdämpf ung
Pilotton- und
H
ilf strägerunterdrückung
NF'Ausgangsspannung
{75 kHz Hub
)
regelbar, niederohmig
Frequenzgang
Deemphasis
Bestückung:
Feld-Eff
ekt
Transistoren
lntegrierte Schaltungen
(
lC
)
Silizium - Transistoren
Dioden
Silizium - Gleichrichter
Stromversorgung
Gewicht
Anderungen, die
dem
technischen
Fortschritt dienen, bleiben vorbehalten,
32
FM
-Tuner
BEVOX 476
Technical Specifications
Tuning range
Sensitivity
(
60
o,
30 dB S/N, deviation 15 kHz
)
Static
selectivity
(at
3OO
kHz
separation
)
Operational selectivity
(
for two
siqnals 100
pV
and 1 mV, 40
kHz
dev.
at
1
kHz,300 kHz separation
)
Spurlous
response
lmage response
Bandwidth:
lF
Filrer
lF ampl.
and
demodulator
Capture ratio
Pulse
noise rejection
( Signal 100
irV
and
I
mV peak per
100 kHz pulse
noise,75
kHz deviation
)
Distortion
(40kHz deviation
at
1 kHz
)
Signal
to
noise
ratio
(unweighted
)
( 75 kHz deviation
)
Stereo separation
Pilot
signal
and subcarrier suppression
Audio output
(75
kHz deviation
)
adjustable.
low
internal impedance
Frequency
response
Deemphasis
Semiconductor complement
:
Dual
insulated-gate
FET
lntegrated circuits
Silicon transistors
Diodes
Silicon rectifiers
lvlains
Weight
We
reserve
the right
to
make alterations
as
technical
progress may
warrant,
Tuner
FM
REVOX A76
Caract6ristiques techniques
Gamme
d'accord
I
Sensibilitd
(60
Q, rapport
S/B
:
30
dB.
excursion
'15
kHz
)
Sdlectivitd statique
(pour
300 kHz d'dcart
)
:
S6lectivit6
effective
:
(entre
2
signaux
de
'100
pV
et
1
mV,
exc.
40 kHz, mod.
1
kHz et 300 kHz d'6cart
)
Atfaiblissernent d'intermod
u
lation
:
Röjection
imdge
:
Largeur de
bande: fiitre
Fl
:
ampli
Fl
et
ddmodulateur
:
Rapport de
captage
I
Rdjection
des
impulsions
parasites
:
( signal
utile
100
pV et signal parasite
1
mV
par
100 kHz,
excursion 75 kHz
)
Distorsion
(excursion 40
kHz,
mod.
1
kHz
)
|
Rapport signal
/ bruit
i non pond{ird
)
:
(excursion
75 kHz
)
Diaphonie en
stdrdophonie
I
R6jection signal
pilote
et
sous-porteuse
:
Tension de sortie
basse-trdquence
:
{excursion
75 kHz
)
ajustdble, sortie basse impedance
Courbe de rdponse
basse-frdquence
:
Ddsaccentuation
I
Equipement:
transistors
ä
effet
de champ
circuits intdgrds
transistors au silicium
diodes
redresseurs
au
silicium
Alimentation
Poids
Sous
toute
r6serve de
modifications
dues ä
une am6lioration technique.
87,5 ...
108
rVrHz
60
dB
80 dB
90
dB
70
dB
130 kHz
5
t\4Hz
1
dB
40
dB
o,2%
70 dB
40dB (1kHz)
40
dB
30
Hz
... 15
kHz,
-1
dB
50 gs
2
6
41
27
2
1
10,
1
30,
1
50, 220, 240, 250
V
^
50 ...
60
Hz,
20
W
7,8 ks
- 17,5
lbs