MSI 740GM-P21 Serie Handbuch Seite 146

可能會不完全，而且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態隨
機存取記憶體時。
TRAS
將「記憶體時序模式」設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項指定 RAS 由讀
取到寫入記憶體所需時間。
TRTP
將「記憶體時序模式」設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項控制讀取到預
充電間的時間差。
TRC
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual]，可調整本欄位。本項是記憶體完成
列活化，到預充電整個週期所需的最小時脈。
TWR
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual]，可調整本欄位。本項指定從整個有
效的寫入過程到記憶體預充電之間的延遲時脈，是為確保預充電前，寫入緩衝
區的資料能確實寫入記憶體。
TRRD
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual]，可調整本欄位。本項設定不同記憶
體間(active-to-active) 的延遲時脈。讀取到預充電間的間隔時間。
TWTR
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual]，可調整本欄位。本項控制寫入資料
到讀取指令延遲的記憶體時序，涵蓋最後有效讀入過程到下次讀取指令給 DDR
裝置間所需的最小時脈。
1T/2T Memory Timing (1T/ 2T 記憶體時序)
若選 [1T]，則 SDRAM 信號控制器會以一週期速率執行 (T=時序週期)，選
[2T]，則以二週期執行。
SoftWare Memory Hole (軟體記憶體)
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual]，可調整本欄位。本項開啟或關閉將
記憶體以軟體的方式重新導向至 memory hole 功能 。
FSB/ DRAM Ratio (FSB / 記憶體倍頻比率)
本項調整 FSB/ 記憶體倍頻比率。
Adjusted DRAM Frequency (MHz) (調整後記憶體頻率)
本項顯示調整後的記憶體頻率。唯讀。
HT Link Speed (超執行緒連結速度)
本項調整 HyperTransport 連結速度。設為 [Auto]，系統會自動偵測 HT 連結速
度。
Adjust PCI-E Frequency (MHz) (調整 PCI-E 頻率)
本項設定 PCI-E 頻率 (MHz)。
CPU Voltage (V) (CPU電壓)
本項可調整CPU電壓。
DRAM Voltage (V) (記憶體電壓)
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