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MSI G41M-P25 Bedienungsanleitung Seite 117

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  • DEUTSCH, seite 63
tRFC
当dRam timing mode设置为[manual]时,此项可调整。此项设置读或写一个
内存单元时RFC所需时间。
tWR
当dRam timing mode设置为[manual]时,此项可调整。此项用来设置一个活
跃内存模块在完成一个有效写操作之后,在预充电之前必须的总延迟(以时钟
周期为单位)。这个延迟用来保证在预充电前写缓冲中的数据被完整写入内存
单元中。
tRRd
当dRam timing mode设置为[manual]时,此项可调整。此项设置不同内存模
块间active-to-active 的延迟。
tWtR
当dRam timing mode设置为[manual]时,此项可调整。此项设置从写数据到
读命令之间的延迟时序。即对ddR设备的同一内存模块的最后一次有效写操作
到下一次读操作之间的必须延迟的最小的时钟周期数。
FSB/dRam Ratio (FSB/dRam 倍频)
此项允许您调整FSB到内存的倍频。
adjusted dRam Frequency (mHz) (调整后的内存频率,单位mHz)
此项显示调整后的内存频率。只读。
adjust PCi-e Frequency (mHz) (调整 PCi-e 频率,单位mHz)
此项允许您调整 PCi-e 的频率。
auto disable dRam/PCi Frequency (自动关闭 dRam/PCi 频率)
设置此项为[enabled],系统将从空的PCi和dRam插槽上移除(关闭)时钟以使电
磁干扰(emi)最小。
dRam Voltage (V), nB Voltage (V), CPu Vtt (V), CPu Voltage (V)
这些项用来调整CPu,内存和芯片组电压。
Spread Spectrum (频展)
当主板上的时钟发生器工作时,脉冲的极值(尖峰)会产生emi(电磁干扰)。频
展功能通过调制脉冲波使脉冲波的极值衰减为较为平滑的曲线,以此来降低脉冲
波极值时的电磁干扰。如果您没有遇到电磁干扰问题,请将此项设置为disabled,
这样可以优化系统的性能,提高稳定性。但是如果您被电磁干扰问题困扰,请将
此项设定为enabled,这样可以减少电磁干扰。请注意,如果您超频使用主板,必
须将此项禁用。因为即使是微小的峰值漂移(抖动)也会引起时钟速度的短暂突
发,这样会导致您超频的处理器锁死。
注意
如果您没有任何电磁干扰 ( emi)方面的问题,要使系统获得最佳的稳定性和性
*
能,请设置此项为[disabled]。但是如果您被电磁干扰 ( emi)问题所困扰,请
选择Spread Spectrum(频展)的值,以减少电磁干扰 ( emi)。
*
Spread Spectrum(频展)的值越高,emi会越小,系统的稳定性也相应降低。
要为Spread Spectrum(频展)设定一个最合适的值,请参考emi规章。
*
当您超频时,请关闭Spread Spectrum(频展)。因为即使一个很微小的峰值漂
移也会引起时钟 速度 的短暂突发,这样会导致您超频的处理器锁死。
MS-7592
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Diese Anleitung auch für:

G41m-s02Ms-7592 v6.x7592-040r

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