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MSI X79MA-GD45 Series Bedienungsanleitung Seite 118

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Adjusted CPU Frequency
Il montre la fréquence ajustée du CPU. Lecture unquement.
EIST
L'Enhanced Intel SpeedStep Technologe vous permet de configurer le nveau de
performance du mcroprocesseur s l'ordnateur fonctonne sur battere ou sur secteur.
Ce menu apparaîtra s vous nstallez un CPU supportant la technologe speedstep.
Intel Turbo Boost 2.0
Actve ou désactve Intel Turbo Boost 2.0, permettant un surcrot de performance CPU
au-dessus des spécficatons (lorsque l'applcaton exge l'état de la performance la plus
haute du processeur).
DRAM Frequency
Ce menu vous permet d'ajuster la fréquence DRAM. Veullez noter que le comporte-
ment d'overclockng n'est pas garant.
Extreme Memory Profile (X.M.P)
Cet artcle sert à actver/ désactver le Intel Extreme Memory Profile (XMP). Pour plus
d'nformaton veullez vous référer au ste Internet officel.
Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture unquement.
DRAM Tmng Mode
Le type de tmng DRAM est contrôlé par l'EEPROM SPD (Seral Presence Detect) du
module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sousmenu suvant "Ad-
vance DRAM Configuraton" est détermné par le BIOS en foncton de la configuraton
du SPD. La mse en [Lnk] ou [Unlnk] vous permet de configurer le tmngs DRAM et le
sous-menu "Advance DRAM Configuraton" manuellement.
Advanced DRAM Configuraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d'ordre DRAM.
tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle d'horloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l'avor reçu.
tRCD
Cette foncton vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Plus basse est la fréquence de
l'horloge, plus rapde est la performance de la DRAM.
tRP
Cette foncton contrôle le nombre de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS)
est autorsé à pré-charger. S'l n'y a pas assez de temps pour que le RAS accumule
sa charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être n-
complet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cette foncton s'applque
seulement quand le système utlse de la DRAM synchrone.
tRAS
L'artcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
Fr-31

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