Hameg HZ540 Benutzerhandbuch Seite 11

tischen Feldes ab und ist damit proportional zur
Stromänderung in der Fläche an dieser Stelle. Der
zeitliche Ablauf ist recht schnell.
Die Flankenzeit liegt im Subnanosekunden-
Bereich. Dies hat seine Ursache darin, dass
hochfrequente Stromkomponenten vor alIem
in der unmittelbaren Nähe des V
ßen, denn sie können nur aus der Ladung der
V -Fläche selbst entnommen werden. Über
cc
größere Zuleitungen können die hochfrequenten
Komponenten nicht zugeführt werden, da deren
Impedanz zu groß ist. Am V
Stützkondensator angebracht, weil dieser eben-
falls hochfrequente Komponenten des Stromes
nicht zu liefern vermag.
Natürlich ist das V -GND-System in der Flächen-
cc
mitte mit einer Kondensatorgruppe zusätzlich
gestützt. Diese Kondensatorgruppe vermag
jedoch nur die niedrigen Frequenzkomponenten
zu liefern.
Bild 2: Flächenstromänderung in der
Nähe einer Kondensatorgruppe
Bild 2 zeigt die Flächenstromänderung in der
Nähe dieser Kondensatorgruppe. Man erkennt
dass dieses Signal wesentlich langsamer ist
als das in Bild 1. Die Flankenzeit liegt bei drei
Nanosekunden. Die Kondensatorgruppe kann
den Strom nur langsam in die Fläche einspeisen.
Solche Details lassen sich natürlich nur mit hoch
auflösenden Sonden entnehmen.
Das nächste Beispiel zeigt uns die Wirkung ab-
sorptiver Entstörmaßnahmen.
-Pins flie-
cc
-Pin selbst ist kein
cc
E M V - P r o b l e m e i n d e r P r a x i s
Bild 3: Signal unmittelbar am V
eines 74 AC 00
In Bild 3 ist das Signal unmittelbar am V
eines 74AC00 mit der Mikro-H-Sonde entnommen
worden. Die integrierte Schaltung wird hier aus
einem nicht gedämpften V
gespeist. Die Änderungen des magnetischen
Feldes sind sehr erheblich.
Bild 4: Vergleichssignal bei einem zweistufig
gedämpften Stromversorgungssystem
Im Gegensatz hierzu sieht man in Bild 4 das
gleiche Signal, jedoch wird die Schaltung hier
aus einem zweistufig gedämpften Stromversor-
gungssystem gespeist.
Änderungen vorbehalten
-Pin
cc
-Pin
cc
-GND- Flächensystem
cc
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