Werbung
HITACHI
FT-5500MK II
@ Cautions on replacing MOS ICs and transistors
MOS ICs and transistors are used in this unit; they are not
resistant to electrostatic breakdown, so be careful when re-
placing them.
(1)
Use a grade a soldering iron with low leakage at the tip
and an insulation resistance of more than 10M2.
(2)
Be careful not to touch the MOS IC and transistor pins.
@ VersichtmaBnahmen beim Austausch der MOS-ICs
und Transistoren
Dieses Gerat ist mit MOS-ICs und Transistoren bestUckt, die
besonders sorgfalting behandelt werden mussen, da es an-
sonsten beim Austausch aufgrund elektrostatischer Ladung
zu Beschadgungen kommen kénnte.
(1)
Nur hochwertige Lotkolben mit geringster Kriechspan-
nung an der Spitze und einem isolationswiderstand von
mehr als 10M
verwenden.
(2)
Darauf achten, da& die Stifte der MOS-ICs
und der
Transistoren nicht berUhrt werden.
GENERAL ALIGNMENT INSTRUCTIONS.
ALLGEMEINE AUSRICHTANLEITUNG.
INSTRUCTIONS GNERLESS
@ ADJUSTING POINTS
@ EINSTELLPUNKT
@ POINT DE REGLAGE
FM M ETER
1C205
ou
Separation
Adj.
_a_
R344
19kHz
aT CANCEL R346 R347
|
ics04
i =)
ao]
eae
U tee "RUNNING
1
woot
OOK
poo] 76. 00 kHz
Fs" counter
@ Précautions de remplacement des circuits intégrés
MOS et transistors
Des circuits imprimés MOS et des transistors sont utilisés
dans cet appareil; ils ne sont pas résistant a la rupture capa-
citive et c'est la raison pour laquelle toutes les précautions
nécessaire doivent étre prises pour les remplacer.
(1)
Utiliser un fer 4 souder de catégorie A a faible fuite en
bout en une résistance d'isolement de plus de 1OM@.
(2)
Prendre garde de ne pas toucher les brouches des cir-
cuits intégés MOS et des transistors.
ANAM SWEEP
| BNGENERATOR
Q102#Q101
Gera?
M ANT RiosLt
EMar2
FMATI
|
R173
} cist C aia
Less ¢
78
SWEEP
GEINERATOR
MUTE
LEVEL
Fig.3 Abb.3
=6-
Werbung
