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Hinweise Speicherbaustein
In die laufende Serie ab ca. FD 726 werden Speicherbau-
steine mit verschiedener Bestickung eingesetzt. Diese sind
handschriftlich mit ,,S", ,,T oder ,,M' gekennzeichnet.
Beim Austausch steht nur ein nicht gekennzeichneter Spei-
cherbaustein zur Verfiigung,.der baugleich mit dem Typ ,,M"
ist.
Beim Austausch des Typen ,,S"* durch ,,M" mussen auf der
Automatikplatte die blau eingezeichneten
Bauelemente
her-
ausgenommen
und R 263 geandert werden (entspricht dem
Stand im Beilagenschaltbild).
—
Beim Austausch des Typen ,,T' durch ,,M'' mussen auf der
Automatikplatte
die
blau
eingezeichnete
Dioden-Wider-
standskombination
herausgenommen
und die Widerstande
R 263, R264 und R218 geandert werden
(entspricht dem
.
Stand im Beilagenschaltbild).
8 638 303 048
~NwWs
Instructions Storage Component
Storage
components
with
a different
equipment
will be
introduced
to the actual
series from
approx.
FD
(date of
manufacture) 726. The latters are marked by "S", "T", or
"MAT.
;
For exchange, there is only one storage component available
which is not marked, being equivalent with type "M".
For exchanging the type ,,S" by ,,M", on the automatic board
the components marked by blue must be removed and R 263
ae
ae
has to be changed (corresponds with state of schematic).
aeons
ee
S
For exchanging the type "T" by "M*", on the automatic board
Lotseite
Automatikplatte / Bestickungsseite
Ladod
Idadura
)
PL2 |
HF-ZF-Platte
ado de soldadu
Automatic board / Components side
PL 2
:
Platine automatique / ne acne
ie
caeale
8 638 307 392
I
;
Placa automatica / Lado de los elementos
|
8 638 303 048
Deen
|
Scere
Bestickungsseite
Instructions composant-mémoire
Components side
,
.
Cété équipement
A
BCD
EFGH
J
Lado de los elementos
A partir de la date de fabrication (FD) 726 env., des compo-
sants-mémoire d'un @quipement different seront introduits
4
dans la série actuelle. Ceux-ci sont marqués par "S", "T' ou
"MAS.
Lors d'échange, il n'y a qu'un composant mémoire pas mar-
qué qui correspond au type ''M".
En échangeant le type "S" par "M", sur la platine auto-
matique il faut enlever les composants
marqués par bleu
et changer R 263 (correspondant a |'état dans le schéma).
En échangeant le type "T" par "M", sur la platine automatique
en
ea
0
il faut enlever la combinaison diodes-résistance marquée par
SS
bleu et changer les résistances R 263, R 264 et R 218 corres-
pondant a Il'état dans le schéma).
Dz
'
s f wbe
] f '4 oe
—pt-
326%
[20
¢
aps
@ R24
C204" R
1247 | L R221
151
ooo
~~ NW
S&S
Instrucciones componente de memoria
* A partir de la fecha de fabricaci6n (FD) 726 aprox., los com-
ponentes de memoria de un equipo diferente seran intro-
ducidos en la serie actual. Estes van marcados por "S", "T"
Oo
"MS.
Para el cambio, sélo hay un componente de memoria que no
,_@S marcado y que corresponde al tipo "M".
Al cambiar el tipo "S" por "M", sobre la placa automatica
hay que quitar los componentes marcados por azul y modi-
ficar R 263 (correspondiente al estado en el esquema).
Al cambiar el tipo "'T" por "M", sobre la placa automatica
hay
que quitar la combinacién
diodo-resistencia
marcada
por azul y modificar las resistencias R 263, R264 y R218
(correspondiente al estado en el esquema).
8 638 303 048
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