MSI A55M-P25-Serie Bedienungsanleitung Seite 67

trAS
L'article détermine le temps que le rAS prend pour lire ou écrire une cellule
de mémoire.
trC
Le temps de cycle détermine le nombre minimum de cycles d'horloge qu'un
rang de mémoire prend pour compléter un cycle entier de l'activation du rang
jusqu'au précharge du rang activé.
trtP
L'intervalle de temps entre un ordre de lecture et un ordre de pré-charge.
tWr
L'intervalle de temps minimum entre la fin d'apparition d'écriture de données et
le début de l'ordre de précharge. Permet aux amplificateurs sensitifs de restau-
rer les données aux cellules.
trrd
Spécifie le délai actif-à-actif des différentes banques.
tWtr
L'intervalle de temps minimum entre la fin d'apparition d'écriture de données et
le début de l'ordre de pré-charge. Permet au pont i/o de faire sur-fonctionner
l'amplificateur sensitif avant qu'un ordre de lecture commence.
trFC0/ 
Ces réglages détermine le temps que rFC0/ prend pour lire ou écrire une
cellule de mémoire.
tWCL
Cet article sert à régler le timing tWCL (Write CAS Latency).
tFAW
Cet article sert à régler le timing tFAW (délai de quatre fenêtres activées).
treF
Ce menu sert à régler le timing treF (taux de rafraîchissement).
Advanced Channel / 2 timing Configuration
Appuyez sur <enter> pour entrer dans le sous-menu. et vous pouvez régler le
timing de mémoire avancé pour chaque canal.
trWtt0/ tWrrd/ tWrWr/ trdrd
Ces menus servent à régler le timing de mémoire pour canal / 2 de la mé-
moire.
Bank interleaving
Bank interleaving est un paramètre important pour améliorer la capacité
d'overclocking de la mémoire. il permet au système d'accéder à multiples
banques simultanément.
drAM Voltage
Ce menu sert à ajuster la tension de la mémoire.
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