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A8. 分补或混补控制（适用于 RVT12-3P 型号）
注：混补在此指共补加分补。RVT12-3P的12路输出可⽤于分补和共补，如果该控制器同时控制单相和三相电容，则称
为混补控制。
只有RVT12-3P三相型号具备分补和混补功能。
与基本型号功率因数的共补控制类似, 三相型号的分补/混补功能也是通过比较各相的启动电流C/k 值与工频电流来实现
功率因数控制。
功因控制因CT连接⽅式和所连接电容类型（单相或三相）的不同而不同。(⻅
端子上的
CT 接线 )
CT 连接⽅式说明 （亦可参⻅38⻚）
wPh- xLyz 定义说明 :
w ： 单相或三相⽹络
x： 电压测量个数
y： 定义相间（L-L）或相与中性线连接(L-N)
z : CT 个数
wPh-1Ly1 控制类型 (单 CT)
如果只有一个CT， 那么控制基于L1 （默认）的电流测量或该CT所在相。
3Ph-xLy2 和 3Ph-xLy3 控制类型 (有2 或 3 CT)
如果使用了多于一个CT，如下控制逻辑保证各段电容（单相或三相）得到有效投切。
不平衡负载的投切控制逻辑（按次序）:
在标准或积分投切模式下， 在投切延时期间计算L1, L2 和L3各相无功电流。
判断需要投切的最小步进三相电容。
判断需要投切的最小步进单相电容。
如上所述，如果任何已投切或待投切单相电容可以转换为（或等效于）三相电容那么优先投切三相电容。
按照直投/渐进或线性/循环所设定模式投切相应电容。
以下为⼀些典型⽰例:
12 段 单 相 电 容 投 切 控 制 / 单 CT (仅 限 于 1Ph-1LL1)
投切控制基于该CT所在相的测量电流。
共补C/k 值作为各段电容投切的判据 (在此共补和分补C/k值应设为相同值)
12段 三 相 电 容 投 切 控 制 / 单 CT (仅 限 于 3Ph-1Ly1)
投切控制基于该CT所在相的测量电流。
STATUS
Approved
SECURITY LEVEL
Public
A7. 共补/分补 CT 连接类型说明和控制器
DOCUMENT ID
9AKK107045A9645
RVT 功率 因 数控 制 器
REV.
LANG.
PAGE
D
zh
386/542
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