turck BI10-P30-Y1/S100 Betriebsanleitung

BI10-P30-Y1/S100
Induktiver Sensor – mit erweitertem Temperaturbereich
Technische Daten
Typ
Ident-No
Bemessungsschaltabstand
Einbaubedingung
Gesicherter Schaltabstand
Korrekturfaktoren
Wiederholgenauigkeit
Temperaturdrift
Hysterese
Umgebungstemperatur
Ausgangsfunktion
Schaltfrequenz
Spannung
Stromaufnahme unbetätigt
Stromaufnahme betätigt
Zulassung gemäß
Innere Kapazität (C ) / Induktivität (L
i
Kennzeichnung des Gerätes
Bauform
Abmessungen
Gehäusewerkstoff
Material aktive Fläche
Endkappe
Hans Turck GmbH & Co. KG | 45466 Mülheim an der Ruhr, Germany | T +49 208 4952-0 | F +49 208 4952-264 | more@turck.com | www.turck.com 1|4
BI10-P30-Y1/S100
10233
10 mm
bündig
≤ (0,81 x Sn) mm
St37 = 1; Al = 0,3; Edelstahl = 0,7; Ms =
0,4
≤ 2 % v. E.
≤ ± 10 %
≤ ± 20 %, ≥ +70 °C
1...10 %
-25...+100 °C
im Ex-Bereich siehe Betriebsanleitung
Zweidraht, NAMUR
0.5 kHz
nom. 8.2 VDC
≥ 2.1 mA
≤ 1.2 mA
KEMA 02 ATEX 1090X
) 150 nF / 150 µH
i
É II 2 G Ex ia IIC T6 Gb / II 1 D Ex ia II-
IC T115 °C Da
(max. U = 20 V, I = 60 mA, P
i i
Gewinderohr, M30 x 1.5
44 mm
Kunststoff, PA12-GF30
Kunststoff, PA12-GF30
Kunststoff, Trogamid T
Merkmale
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Gewinderohr, M30 x 1,5
■
Kunststoff, PA12‐GF30
■
für Temperaturen bis +100°C
■
DC 2‐Draht, nom. 8,2 VDC
■
Ausgang gemäß DIN EN 60947‐5‐6 (NA-
MUR)
■
Kabelanschluss
■
ATEX Kategorie II 2 G. Ex Zone 1
■
ATEX Kategorie II 1 D, Ex Zone 20 bei
Temperaturen bis +70°C
■
SIL2 (Low Demand Mode) gemäß IEC
61508, PL c gemäß ISO 13849-1 bei HFT0
■
SIL3 (All Demand Mode) gemäß IEC
61508, PL e gemäß ISO 13849-1 bei redun-
dantem Aufbau HTF1
Anschlussbild
Funktionsprinzip
Induktive Sensoren erfassen berührungslos
und verschleißfrei metallische Objekte.
Dazu benutzen sie ein hochfrequentes
elektromagnetisches Wechselfeld, das mit
dem Erfassungsobjekt in Wechselwirkung tritt.
Bei induktiven Sensoren wird dieses Feld von
einem LC‐Resonanzkreis mit einer Ferritkern‐
Spule erzeugt.
Induktive Sensoren lassen sich als
Spezialausführungen bei Temperaturen ab ‐
60°C oder bis zu +250°C einsetzen.
= 200 mW)
i